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半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

更新時(shí)間:2024-07-09      點(diǎn)擊次數(shù):510

蝕刻液半導(dǎo)體制造流程中重要的化學(xué)品之一,其配方的成分含量和純度,對(duì)器件的性能具有關(guān)鍵影響。ICP、IR、LC、MS均是常用的分析手段,沃特世專注液相色譜分離(LC)和質(zhì)譜(MS)檢測(cè)的分析平臺(tái)研發(fā),無(wú)論是提升日常分析的簡(jiǎn)易性,還是借助多一維分子量信息進(jìn)行快速監(jiān)控,均有對(duì)應(yīng)的色譜質(zhì)譜技術(shù)助力原料放行、配方研發(fā)、質(zhì)控和問(wèn)題溯源。

半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析


UPLC - QDa液相色譜質(zhì)譜檢測(cè)器


蝕刻液中的離子殘留,在液相色譜分析中非常容易帶來(lái)基線的波動(dòng)和結(jié)果的偏差。在PEG組分分析中,質(zhì)譜檢測(cè)器(QDa)多一維質(zhì)荷比的優(yōu)勢(shì),可以助力更好地采集特定離子的譜圖信息,降低背景基線干擾,日常質(zhì)控方法更穩(wěn)定。





色譜條件
  • 流動(dòng)相A:0.1%甲酸水

  • 流動(dòng)相B:甲醇

  • 流速:0.5 mL/min

  • 梯度條件:

    %A 0.00 90.0 10.0

    %B 5.00 90.0 10.0


  • 進(jìn)樣量:10 μL


質(zhì)譜條件
  • SIR采集:m/z 459.3聚乙二醇400

  • 電離模式:ESI(+)

  • 采樣率:10 點(diǎn)/秒

  • 毛細(xì)管電壓:1.5 kV

  • 錐孔電壓:30 V

  • 源內(nèi)溫度:300 ℃


半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析


圖1.PEG400 SIR采集色譜圖和質(zhì)譜圖(m/z459.36)。



ASAP大氣壓固體分析探桿


在原料放行和過(guò)程分析中,需要把控品質(zhì)和快速判斷批次穩(wěn)定性,但由于蝕刻液樣品中的酸、金屬鹽等組分,在色譜分離前需要較為復(fù)雜的前處理步驟。而借助質(zhì)譜的直接進(jìn)樣探桿,無(wú)需或只需很少的樣品前處理,一次性玻璃毛細(xì)管蘸取樣品插入質(zhì)譜中進(jìn)行表征。

該技術(shù)Waters SQD2、Xevo家族串聯(lián)四極桿、四極桿串聯(lián)飛行時(shí)間質(zhì)譜平臺(tái)上均可輕松配置,擴(kuò)展多樣化進(jìn)樣分析能力,固體、液體、半固體均可實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜直接分析。


半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

圖2.ASAP操作流程(蘸取樣品 - 插入質(zhì)譜 - 自動(dòng)觸發(fā)采集)。


半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

圖3.利用ASAP快速表征PEG成分(不同供應(yīng)商比較)。



沃特世質(zhì)譜平臺(tái)化的設(shè)計(jì)理念,讓多種類樣本分析能力大大提升,輕松應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)中涉及的各種材料。如您有興趣了解完整解決方案,





沃特世半導(dǎo)體行業(yè)解決方案,涵蓋光刻流程中所應(yīng)用到的化學(xué)品分析,從液相色譜分離到高靈敏度質(zhì)譜表征以及高分辨未知成分定性,提供快速的色譜質(zhì)譜解決方案。從小分子到大分子,從日常質(zhì)控、過(guò)程放行、到配方剖析,涉及光刻膠、蝕刻液、電鍍液、研磨液等多種材料分析需求。

半導(dǎo)體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

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